产品目录绘图 : | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
标准包装 : | 70 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 耗尽模式 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 1000V (1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 800mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 21 欧姆 @ 400mA, 0V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | - |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 14.6nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 325pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 60W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 : | TO-252, (D-Pak) |
包装 : | 管件 |