标准包装 : | 75 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 耗尽模式 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 1000V (1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 100mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 80 欧姆 @ 50mA, 0V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 25µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 120pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1.1W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商设备封装 : | TO-251 |
包装 : | 管件 |