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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXTP3N50D2 - MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
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IXTP3N50D2|IXYS
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IXTP3N50D2
制造商型号: IXTP3N50D2
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : TO-220, TO-251
标准包装 : 50
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss) : 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.5 欧姆 @ 1.5A, 0V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : -
闸电荷(Qg) @ Vgs : 40nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1070pF @ 25V
功率 - 最大 : 125W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220AB
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXTP3N50D2
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