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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXTP2N100P - MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
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IXTP2N100P
库存编号:IXTP2N100P-ND
Littelfuse Inc MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB30
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IXTP2N100P
库存编号:747-IXTP2N100P
IXYS Corporation MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds103
1起订
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IXTP2N100P
库存编号:IXTP2N100P
IXYS Corporation MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds0
300起订
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IXTP2N100P
库存编号:IXTP2N100P
IXYS Corporation Transistor: N-MOSFET, unipolar, 1kV, 2A, 86W, TO220AB, 800ns0
1起订
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IXTP2N100P
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXTP2N100P
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IXYS Corporation

MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds

RoHS: Compliant

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IXTP2N100P|IXYSIXTP2N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
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IXYS - IXTP2N100P - MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 86W(Tc) TO-220AB

型号:IXTP2N100P
仓库库存编号:IXTP2N100P-ND

无铅
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IXTP2N100P|IXYSIXTP2N100P
IXYS
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IXYS
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Ixys - IXTP2N100P - MOSFET N, 1000 V 2.0 A 86 W TO-220, IXTP2N100P, Ixys
Ixys
MOSFET N, 1000 V 2.0 A 86 W TO-220, IXTP2N100P, Ixys


型号:IXTP2N100P
仓库库存编号:171-31-395

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IXTP2N100P|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXTP2N100P
制造商型号: IXTP2N100P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 50
系列 : Polar™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 7.5 欧姆 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 24.3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 655pF @ 25V
功率 - 最大 : 86W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220
包装 : 管件

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