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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXTH3N100P - MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
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IXTH3N100P
库存编号:IXTH3N100P-ND
Littelfuse Inc MOSFET N-CH 1000V 3A TO2470
300起订
300+
¥36.64
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)
操作
IXTH3N100P
库存编号:747-IXTH3N100P
IXYS Corporation MOSFETs 3 Amps 1000V9
1起订
1+
10+
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270+
¥74.46
¥62.52
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6-10天购买 购买
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(工作日)
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IXTH3N100P
库存编号:IXTH3N100P
IXYS Corporation MOSFETs 3 Amps 1000V0
300起订
300+
¥41.48
1-3周询价 询价
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货期
(工作日)
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IXTH3N100P
库存编号:IXTH3N100P
IXYS Corporation Transistor: N-MOSFET, unipolar, 1kV, 3A, 125W, TO247-3, 820ns240
1起订
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¥70.9
¥63.75
¥56.32
¥50.6
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型号 制造商 描述 操作
IXTH3N100P
[更多]
IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXTH3N100P
[更多]
IXYS Corporation

MOSFET 3 Amps 1000V

RoHS: Compliant

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IXTH3N100P|IXYSIXTH3N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
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IXYS
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IXTH3N100P|IXYSIXTH3N100P
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
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IXYS - IXTH3N100P - MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-247(IXTH)

型号:IXTH3N100P
仓库库存编号:IXTH3N100P-ND

无铅
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Ixys - IXTH3N100P - MOSFET N, 1000 V 3.0 A 125 W TO-247, IXTH3N100P, Ixys
Ixys
MOSFET N, 1000 V 3.0 A 125 W TO-247, IXTH3N100P, Ixys


型号:IXTH3N100P
仓库库存编号:171-31-398

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IXTH3N100P|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXTH3N100P
制造商型号: IXTH3N100P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 30
系列 : PolarVHV™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 4.8 欧姆 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 39nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1100pF @ 25V
功率 - 最大 : 125W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXTH3N100P
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