| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IXTA80N10T7 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXTA80N10T7 IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263-7（IXTA..7） 型号：IXTA80N10T7 仓库库存编号：IXTA80N10T7-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | TrenchMV™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 14 毫欧 @ 25A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 60nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 230W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-7, D²Pak (6 引线+接片), TO-263CB |
| 供应商设备封装 ： | TO-263-7 |
| 包装 ： | 管件 |
