| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IXTA18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXTA18P10T IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-263  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA） 型号：IXTA18P10T 仓库库存编号：IXTA18P10T-ND | 无铅 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | TO-263 Package |
| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | TrenchP™ |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 120 毫欧 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 39nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 83W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | TO-263AA |
| 包装 ： | 管件 |
