标准包装 : | 30 |
系列 : | HiPerFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 440 毫欧 @ 12A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 1000V (1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 24A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 6.5V @ 4mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 140nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 7200pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1000W |
安装类型 : | * |
封装/外壳 : | * |
供应商设备封装 : | PLUS247™-3 |
包装 : | * |