标准包装 : | 30 |
系列 : | HiPerFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 900V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.5 欧姆 @ 500mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 2.5mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 56nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 2200pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 180W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-268-3, D³Pak (2 引线+接片), TO-268AA |
供应商设备封装 : | TO-268 |
包装 : | 管件 |