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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXFR32N80P - MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
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IXFR32N80P|IXYS
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IXFR32N80P
制造商型号: IXFR32N80P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
标准包装 : 30
系列 : PolarHV™ HiPerFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 290 毫欧 @ 16A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 8800pF @ 25V
功率 - 最大 : 300W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : ISOPLUS247™
供应商设备封装 : ISOPLUS247™
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFR32N80P
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