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半导体模块 - FET - IXYS - IXFN20N120P - MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
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IXFN20N120P|IXYS
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IXFN20N120P
制造商型号: IXFN20N120P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 10
系列 : Polar™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 570 毫欧 @ 10A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 193nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 11100pF @ 25V
功率 - 最大 : 595W
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装 : SOT-227B
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN20N120P
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