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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXFK30N110P - MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
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IXFK30N110P
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IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA0
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXYS Corporation

MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds

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IXYS - IXFK30N110P - MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)

型号:IXFK30N110P
仓库库存编号:IXFK30N110P-ND

无铅
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IXFK30N110P|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFK30N110P
制造商型号: IXFK30N110P
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 25
系列 : Polar™ HiPerFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 1100V (1.1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 360 毫欧 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 235nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 13600pF @ 25V
功率 - 最大 : 960W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-264-3, TO-264AA
供应商设备封装 : TO-264
包装 : 管件

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