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分离式半导体 - MOSFET - 单 - IXYS - IXFH36N55Q - MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
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IXFH36N55Q
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 550V 36A TO-247

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IXFH36N55Q2
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 550V 36A TO-247

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IXYS Corporation

MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds

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IXYS Corporation

MOSFET 36 Amps 550V 0.16 Rds

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IXFH36N55Q|IXYSIXFH36N55Q
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IXYS - IXFH36N55Q - MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 550V 36A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)

型号:IXFH36N55Q
仓库库存编号:IXFH36N55Q-ND

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IXYS - IXFH36N55Q2 - MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 550V 36A(Tc) 560W(Tc) TO-247AD(IXFH)

型号:IXFH36N55Q2
仓库库存编号:IXFH36N55Q2-ND

无铅
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MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
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IXFH36N55Q|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFH36N55Q
制造商型号: IXFH36N55Q
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 30
系列 : HiPerFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 550V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 36A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 160 毫欧 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 128nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 4500pF @ 25V
功率 - 最大 : 500W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFH36N55Q
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