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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRLR8729PBF - MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
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IRLR8729PBF
库存编号:IRLR8729PBF-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK0
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IRLR8729PBF International Rectifier  
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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International Rectifier  

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 55 W

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Infineon Technologies AG

Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 30V, 58A, 55W, DPAK

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Infineon - IRLR8729PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRLR8729PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7248
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IRLR8729PBF|International RectifierIRLR8729PBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
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IR - IRLR8729PBF - MOSFET N, 30 V 71 A 55 W DPAK, IRLR8729PBF, IR
IR
MOSFET N, 30 V 71 A 55 W DPAK, IRLR8729PBF, IR


型号:IRLR8729PBF
仓库库存编号:171-02-336

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IRLR8729PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLR8729PBF
制造商型号: IRLR8729PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 75
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 58A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 8.9 毫欧 @ 25A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1350pF @ 15V
功率 - 最大 : 55W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRLR8729PBF
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