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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRLR8726PBF - MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
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MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC

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Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MOSFET, N-CH 30V 86A DPAK

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Single N-Channel 30 V 5.8 mOhm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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Single N-Channel 30 V 5.8 mOhm 15 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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IRLR8726PBF N-channel MOSFET Transistor, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 75 W

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Infineon - IRLR8726PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRLR8726PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7244
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IRLR8726PBF
INFINEON IRLR8726PBF
1698305

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V

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IR - IRLR8726PBF - MOSFET N, 30 V 85 A 75 W DPAK, IRLR8726PBF, IR
IR
MOSFET N, 30 V 85 A 75 W DPAK, IRLR8726PBF, IR


型号:IRLR8726PBF
仓库库存编号:171-02-335

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IRLR8726PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLR8726PBF
制造商型号: IRLR8726PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 75
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 86A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 5.8 毫欧 @ 25A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 23nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2150pF @ 15V
功率 - 最大 : 75W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 管件

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