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| IRLR3715TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR3715TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 54A, 14 MOHM, 11 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRLR3715TRL | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 54A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLR3715TRL International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 54A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 54A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak 型号：IRLR3715TRL 仓库库存编号：IRLR3715TRL-ND | | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 54A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak 型号：IRLR3715TRLPBF 仓库库存编号：IRLR3715TRLPBF-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 14 毫欧 @ 26A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 17nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 3.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
