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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRLML2502TRPBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
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MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

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MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML2502TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R - Cut TR (SOS) (Alt: IRLML2502TRPBF/BKN)

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R (Alt: IRLML2502TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML2502TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R (Alt: IRLML2502TRPBF-1)

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IRLML2502TRPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.035Ohm, ID 4.2A, Micro3, PD 1.25W, VGS +/-12V

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23

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International Rectifier
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Infineon Technologies - IRLML2502TRPBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23

型号:IRLML2502TRPBF
仓库库存编号:IRLML2502PBFCT-ND
别名:*IRLML2502TRPBF <br>IRLML2502PBFCT <br>

无铅
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International Rectifier - IRLML2502TRPBF - VGS +/-12V PD 1.25W Micro3 ID 4.2A RDS(ON) 0.035Ohm VDSS 20V N-Ch MOSFET, Power|70017402 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.035Ohm; ID 4.2A; Micro3; PD 1.25W; VGS +/-12V


型号:IRLML2502TRPBF
仓库库存编号:70017402

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International Rectifier - IRLML2502TRPBF - MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23|70411442 | ChuangWei Electronics
International Rectifier
MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23


型号:IRLML2502TRPBF
仓库库存编号:70411442

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IRLML2502TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLML2502TRPBF
制造商型号: IRLML2502TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet Micro-3, SOT-23
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 45 毫欧 @ 4.2A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 12nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 740pF @ 15V
功率 - 最大 : 1.25W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 : Micro3™/SOT-23
包装 : 剪切带 (CT)

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