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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRLL3303TRPBF - MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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IRLL3303TRPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

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MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl

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Trans MOSFET, N-CH 30V, 4.6A, 31mOHM, 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 2.5k Pb free - Tape and Reel (Alt: IRLL3303TRPBF)

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Single N-Channel 30 V 0.045 Ohm 50 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223-3

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Single N-Channel 30 V 0.045 Ohm 50 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.031Ohm, ID 4.6A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-16V

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IRLL3303TRPBF
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International Rectifier

4.6 A, 30 V, 0.031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA

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IRLL3303TRPBF|International RectifierIRLL3303TRPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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Infineon Technologies - IRLL3303TRPBF - MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223

型号:IRLL3303TRPBF
仓库库存编号:IRLL3303PBFCT-ND
别名:*IRLL3303TRPBF <br>IRLL3303PBFCT <br>

无铅
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IRLL3303TRPBF|International RectifierIRLL3303TRPBF
International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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IRLL3303TRPBF
INFINEON IRLL3303TRPBF
2468050

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.031 ohm, 10 V, 1 V

(EN)
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IRLL3303TRPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER IRLL3303TRPBF
1375018

INTERNATIONAL RECTIFIER

场效应管, MOSFET

(EN)
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IRLL3303TRPBF
INFINEON IRLL3303TRPBF
2468050RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.031 ohm, 10 V, 1 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLL3303TRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
IRLL3303TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3313
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IRLL3303TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLL3303TRPBF
制造商型号: IRLL3303TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet SOT-223
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 31 毫欧 @ 4.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 4.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 50nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 840pF @ 25V
功率 - 最大 : 1W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-261-4, TO-261AA
供应商设备封装 : SOT-223
包装 : 剪切带 (CT)

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