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| IRLHS2242TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -30V -8.5A 31mOhm -4.5V cpbl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLHS2242TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual P-Channel 20 V 53 mOhm 9.6 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRLHS2242TR2PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 制造商零件编号： IRLHS2242TR2PBF 品牌： Infineon 库存编号： 760-4422 | 搜索 |
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 | IRLHS2242TR2PBF International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2） 型号：IRLHS2242TR2PBF 仓库库存编号：IRLHS2242TR2PBFCT-ND 别名：IRLHS2242TR2PBFCT <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 特色产品 ： | PQFN 2x2 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 7.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 31 毫欧 @ 8.5A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.1V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 12nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 877pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 2.1W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 ： | 6-PQFN (2x2) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
