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| IRLHM620TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 2.5mOhm Drv cpbl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLHM620TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 26A PQFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3） 型号：IRLHM620TR2PBF 仓库库存编号：IRLHM620TR2PBFCT-ND 别名：IRLHM620TR2PBFCT <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 产品目录绘图 ： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 2.5 毫欧 @ 20A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 78nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 2.7W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 ： | PQFN (3x3) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
