PDF查询| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 540 毫欧 @ 600mA, 5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 6.1nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1.3W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | 4-DIP（0.300", 7.62mm） |
| 供应商设备封装 ： | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 ： | 管件 |
