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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRLBD59N04ETRLP - MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
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IRLBD59N04ETRLP
制造商型号: IRLBD59N04ETRLP
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 800
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 59A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 18 毫欧 @ 35A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 50nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2190pF @ 25V
功率 - 最大 : 130W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-6, D²Pak (5 引线+接片), TO-263BA
供应商设备封装 : TO-263-5
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRLBD59N04ETRLP
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