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| IRL1004SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRL1004SPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRL1004SPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRL1004SPBF | 8650861 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRL1004SPBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-2127 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 40 V 110 A 150 W D2PAK, IRL1004SPBF, IR 型号：IRL1004SPBF 仓库库存编号：171-17-724 | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6.5 毫欧 @ 78A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 100nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 5330pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 管件 |
