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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - IRFZ44STRR - MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK0
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 60V 50 Amp

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50 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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Vishay Siliconix - IRFZ44STRR - MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK

型号:IRFZ44STRR
仓库库存编号:IRFZ44STRR-ND

含铅
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Vishay Siliconix - IRFZ44STRRPBF - MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK

型号:IRFZ44STRRPBF
仓库库存编号:IRFZ44STRRPBFCT-ND
别名:IRFZ44STRRPBFCT <br>

无铅
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IRFZ44STRR|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFZ44STRR
制造商型号: IRFZ44STRR
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
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备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
标准包装 : 800
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 28 毫欧 @ 31A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 67nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1900pF @ 25V
功率 - 最大 : 3.7W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D2PAK
包装 : 带卷 (TR)

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