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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRFZ44ESPBF - MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
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IRFZ44ESPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK0
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IRFZ44ESPBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,48A I(D),TO-263AB,LEAD FREE62
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.023Ohm, ID 48A, D2Pak, PD 110W, VGS +/-20V, -55

RoHS: Compliant

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International Rectifier  

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Infineon - IRFZ44ESPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ44ESPBF, 48 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRFZ44ESPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0519
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFZ44ESPBF
制造商型号: IRFZ44ESPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 50
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 23 毫欧 @ 29A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 60nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1360pF @ 25V
功率 - 最大 : 110W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D2PAK
包装 : 管件

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