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| IRFZ34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFZ34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFZ34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFZ34NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRFZ34NSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFZ34NSTRRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK 型号：IRFZ34NSTRR 仓库库存编号：IRFZ34NSTRR-ND | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 40 毫欧 @ 16A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 34nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
