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| IRFSL9N60ATRR [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 RoHS: Not Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK 型号：IRFSL9N60ATRR 仓库库存编号：IRFSL9N60ATRR-ND |  | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 800 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 750 毫欧 @ 5.5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 49nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 170W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 ： | TO-262-3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
