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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRFR3707TR - MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
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IRFR3707TR
库存编号:IRFR3707TR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 61A DPAK0
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IRFR3707TRR
库存编号:IRFR3707TRR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 61A DPAK0
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IRFR3707TRPBF
库存编号:IRFR3707PBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 61A DPAK0
3000起订
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IRFR3707TRPBF
库存编号:IRFR3707PBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 61A DPAK0
3000起订
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IRFR3707TRPBF
库存编号:IRFR3707PBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 61A DPAK0
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IRFR3707TRLPBF International Rectifier  
2726
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IRFR3707TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC

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IRFR3707TRLPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 30V 61A 13mOhm 19nC

RoHS: Compliant

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IRFR3707TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 9.7Milliohms, ID 61A, D-Pak (TO-252AA), PD 87W

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IRFR3707TRLPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 9.7Milliohms, ID 61A, D-Pak (TO-252AA), PD 87W

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IRFR3707TR International Rectifier MOSFET N-CH 30V 61A DPAK 查看库存、价格及货期
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International Rectifier
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Infineon Technologies - IRFR3707TR - MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak

型号:IRFR3707TR
仓库库存编号:IRFR3707TR-ND

含铅
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Infineon Technologies - IRFR3707TRL - MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak

型号:IRFR3707TRL
仓库库存编号:IRFR3707TRL-ND

含铅
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Infineon Technologies - IRFR3707TRR - MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak

型号:IRFR3707TRR
仓库库存编号:IRFR3707TRR-ND

含铅
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Infineon Technologies - IRFR3707TRPBF - MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak

型号:IRFR3707TRPBF
仓库库存编号:IRFR3707PBFCT-ND
别名:*IRFR3707TRPBF <br>IRFR3707PBFCT <br>

无铅
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IRFR3707TR|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFR3707TR
制造商型号: IRFR3707TR
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 2,000
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 61A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 13 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1990pF @ 15V
功率 - 最大 : 87W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 带卷 (TR)

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