| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFR3706TRPBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 20V, 0.009OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 5908 1起订 | 1+ 229+ 511+ | ￥130.35 ￥71.69 ￥65.18 | 1-3周 | 购买 |
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| IRFR3706TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFR3706TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 75A, 9 MOHM, 23 NC QG, D-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFR3706TRPBF [更多] | International Rectifier |
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| IRFR3706TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFR3706TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 75A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak 型号：IRFR3706TRPBF 仓库库存编号：IRFR3706PBFCT-ND 别名：*IRFR3706TRPBF <br>IRFR3706PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | IR Hexfet DPak |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 9 毫欧 @ 15A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 35nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2410pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 88W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
