PDF查询| 特色产品 ： | Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 170 毫欧 @ 3.1A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.4V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 3.7nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 160pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1.4W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 6-PowerVQFN |
| 供应商设备封装 ： | 6-PQFN (2x2) |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
