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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRFHM830TR2PBF - MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
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IRFHM830TR2PBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFHM830TR2PBF
制造商型号: IRFHM830TR2PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet PQFN
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3.8 毫欧 @ 20A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.35V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 31nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2155pF @ 25V
功率 - 最大 : 2.7W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装 : PQFN (3x3)
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFHM830TR2PBF
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