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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRFH5006TR2PBF - MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
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IRFH5006TR2PBF
库存编号:IRFH5006TR2PBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN0
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￥37.75
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(工作日)		 操作
IRFH5006TR2PBF International Rectifier  
19
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IRFH5006TR2PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg

RoHS: Compliant

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IRFH5006TR2PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IRFH5006TR2PBF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 60 V, 8-Pin PQFN

RoHS: Compliant

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IRFH5006TR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN 查看库存、价格及货期
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Infineon Technologies - IRFH5006TR2PBF - MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）

型号：IRFH5006TR2PBF
仓库库存编号：IRFH5006TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5006TR2PBFCT <br>

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFH5006TR2PBF|International RectifierIRFH5006TR2PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRFH5006TR2PBF
INFINEON IRFH5006TR2PBF		1813405

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 60 V, 3.5 mohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFH5006TR2PBF - Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5006TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
制造商零件编号：
IRFH5006TR2PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
715-7771
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IRFH5006TR2PBF|International RectifierIRFH5006TR2PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFH5006TR2PBF|International RectifierIRFH5006TR2PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
Rohs

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IR - IRFH5006TR2PBF - MOSFET N, 60 V 21 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5006TR2PBF, IR		IR
MOSFET N, 60 V 21 A 3.6 W PQFN-8 (5x6), IRFH5006TR2PBF, IR

型号：IRFH5006TR2PBF
仓库库存编号：171-37-240

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IRFH5006TR2PBF|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFH5006TR2PBF
制造商型号： IRFH5006TR2PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 ： IR Hexfet PQFN
特色产品 ： Mid-Voltage Power MOSFETs
标准包装 ： 1
系列 ： HEXFET®
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 4.1 毫欧 @ 50A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 100nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 4175pF @ 30V
功率 - 最大 ： 3.6W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： 8-PowerVQFN
供应商设备封装 ： PQFN (5x6)
包装 ： 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFH5006TR2PBF
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