型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5004TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN RoHS: Not compliant | 搜索 查看资料 |
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IRFH5004TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFH5004TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRFH5004TR2PBF N-channel MOSFET Transistor, 28 A, 40 V, 8-Pin QFN RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFH5004TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 查看库存、价格及货期 |
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| 制造商零件编号: IRFH5004TR2PBF 品牌: Infineon 库存编号: 725-9268 | 搜索 |
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IRFH5004TR2PBF.![]() | 2119665 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 100A ![]() | 搜索 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN 详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 28A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘 型号:IRFH5004TR2PBF 仓库库存编号:IRFH5004TR2PBFCT-ND 别名:IRFH5004TR2PBFCT <br> | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 28A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 2.6 毫欧 @ 50A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 150µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 110nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 4490pF @ 20V |
功率 - 最大 : | 3.6W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-VQFN |
供应商设备封装 : | PQFN (5x6) 单芯片焊盘 |
包装 : | 剪切带 (CT) |