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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - IRFB9N65APBF - MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
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IRFB9N65APBF-BE3
库存编号:742-IRFB9N65APBF-BE3-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB821
1起订
1+
50+
100+
500+
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¥24.23
¥21.95
¥17.96
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IRFB9N65APBF
库存编号:IRFB9N65APBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB0
1起订
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IRFB9N65APBF-BE3
库存编号:IRFB9N65APBF-BE3
Vishay Intertechnologies MOSFET P-CHANNEL 650V - Tape and Reel (Alt: IRFB9N65APBF-BE3)0
1起订
1-2周询价 询价
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IRFB9N65APBF
库存编号:IRFB9N65APBF
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 5.4A, 167W, TO220AB0
1起订
1+
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10+
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250+
¥19.59
¥17.87
¥15.73
¥14.01
¥13.16
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IRFB9N65APBF International Rectifier 8.5 A, 650 V, 0.93 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-220AB4560
1起订
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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRFB9N65APBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

RoHS: Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-CH 650V HEXFET MOSFET

RoHS: Compliant
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IRFB9N65A
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Vishay Intertechnologies

MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFB9N65APBF

RoHS: Not compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFB9N65APBF)

RoHS: Not Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB9N65APBF)

RoHS: Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFB9N65APBF)

RoHS: Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant
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型号 制造商 描述 操作
IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-CH 650V HEXFET MOSFET

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free
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IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 167 W

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型号 制造商 描述 操作
IRFB9N65APBF
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Vishay Intertechnologies

Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 5.4A, 167W, TO220AB

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型号 制造商 描述 操作
IRFB9N65APBF
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Vishay Siliconix

8.5 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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IRFB9N65APBF
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International Rectifier

8.5 A, 650 V, 0.93 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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IRFB9N65APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB 查看库存、价格及货期
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IRFB9N65APBF|VISHAYIRFB9N65APBF
VISHAY
单 N沟道 650 V 0.93 Ohms 法兰安装 功率Mosfet - TO-220
Rohs

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IRFB9N65APBF|Vishay SiliconixIRFB9N65APBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
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IRFB9N65APBF|Vishay SiliconixIRFB9N65APBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
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Vishay - IRFB9N65APBF - MOSFET N, 650 V 8.5 A 167 W TO-220, IRFB9N65APBF, Vishay
Vishay
MOSFET N, 650 V 8.5 A 167 W TO-220, IRFB9N65APBF, Vishay


型号:IRFB9N65APBF
仓库库存编号:171-15-225
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Vishay Dale - IRFB9N65APBF - IRFB9N65APBF|R1081684 | ChuangWei Electronics
Vishay Dale
IRFB9N65APBF


型号:IRFB9N65APBF
仓库库存编号:R1081684
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - IRFB9N65APBF - MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB

型号:IRFB9N65APBF
仓库库存编号:IRFB9N65APBF-ND
别名:*IRFB9N65APBF <br>

无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRFB9N65APBF - Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB9N65APBF, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRFB9N65APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1938
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图IRFB 9N65APBF
Vishay BC Components
原厂原装货
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IRFB9N65APBF|VISHAYIRFB9N65APBF
VISHAY
单 N沟道 650 V 0.93 Ohms 法兰安装 功率Mosfet - TO-220
Rohs

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IRFB9N65APBF|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFB9N65APBF
制造商型号: IRFB9N65APBF
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装 : 1,000
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 930 毫欧 @ 5.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 8.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 48nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1417pF @ 25V
功率 - 最大 : 167W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220AB
包装 : 管件

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旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: IRFB9N65APBF
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