| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF9Z24NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9Z24NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF9Z24NSTRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single P-Channel 55 V 0.175 Ohm 19 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF9Z24NSTRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRF9Z24NSTRLPBF P-channel MOSFET Transistor, 12 A, 55 V, 3+Tab-Pin D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF9Z24NSTRLPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK 详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK 型号：IRF9Z24NSTRLPBF 仓库库存编号：IRF9Z24NSTRLPBFCT-ND 别名：IRF9Z24NSTRLPBFCT <br> | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRF9Z24NSTRLPBF 品牌： Infineon 库存编号： 915-4991 | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 175 毫欧 @ 7.2A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 19nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 供应商设备封装 ： | D2PAK |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
