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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - IRF9Z20PBF - MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB

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IRF9Z20PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Chan 50V 9.7 Amp

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IRF9Z20
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Vishay Intertechnologies

MOSFET -50V 280mOhm@-10V -9.7A P-Ch

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IRF9Z20PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z20PBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Tape and Reel (Alt: IRF9Z20PBF)

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 50V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z20PBF
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Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 50 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

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Vishay Siliconix

IRF9Z20PBF P-channel MOSFET Transistor, 6.1 A, 50 V, 3-Pin TO-220AB

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IRF9Z20PBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Chan 50V 9.7 Amp

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IRF9Z20PBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB 查看库存、价格及货期
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IRF9Z20PBF|VISHAYIRF9Z20PBF
VISHAY
单 P 沟道 50 V 0.28 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220
Rohs

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IRF9Z20PBF|Vishay SiliconixIRF9Z20PBF
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
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VISHAY
单 P 沟道 50 V 0.28 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220
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Vishay Siliconix - IRF9Z20PBF - MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB

详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB

型号:IRF9Z20PBF
仓库库存编号:IRF9Z20PBF-ND
别名:*IRF9Z20PBF <br>

无铅
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Siliconix / Vishay - IRF9Z20PBF - 3-Pin TO-220AB 50 V 6.1 A IRF9Z20PBF P-channel MOSFET Transistor|70616879 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
IRF9Z20PBF P-channel MOSFET Transistor, 6.1 A, 50 V, 3-Pin TO-220AB


型号:IRF9Z20PBF
仓库库存编号:70616879

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - IRF9Z20PBF - Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z20PBF, 6.1 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRF9Z20PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2682
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IRF9Z20PBF|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF9Z20PBF
制造商型号: IRF9Z20PBF
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装 : 1,000
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 280 毫欧 @ 5.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 9.7A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 480pF @ 25V
功率 - 最大 : 40W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220AB
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRF9Z20PBF
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