标准包装 : | 50 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 14A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 200 毫欧 @ 8.4A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 58nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 760pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 3.8W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 : | TO-262 |
包装 : | 管件 |