型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF8910GTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF8910GTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF8910GTRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF8910GTRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 20V, 10A, SO-8,HALOGEN-FREE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF8910GTRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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IRF8910GTRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO 型号:IRF8910GTRPBF 仓库库存编号:IRF8910GTRPBFCT-ND 别名:IRF8910GTRPBFCT | 无铅 |
产品目录绘图 : | IR Hexfet 8-SOIC |
标准包装 : | 1 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 13.4 毫欧 @ 10A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2.55V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 11nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 960pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 剪切带 (CT) |