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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - International Rectifier - IRF8910GTRPBF - MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A

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IRF8910GTRPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R (Alt: IRF8910GTRPBF)

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Infineon Technologies AG

MOSFET, DUAL N-CHANNEL, 20V, 10A, SO-8,HALOGEN-FREE

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Infineon Technologies - IRF8910GTRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO

型号:IRF8910GTRPBF
仓库库存编号:IRF8910GTRPBFCT-ND
别名:IRF8910GTRPBFCT
无铅
IRF8910GTRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF8910GTRPBF
制造商型号: IRF8910GTRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 13.4 毫欧 @ 10A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 960pF @ 10V
功率 - 最大 : 2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SO
包装 : 剪切带 (CT)

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