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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF7811ATR - MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
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IRF7811ATR
库存编号:IRF7811ATR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 28V 11A 8SO0
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IRF7811ATRPBF
库存编号:IRF7811APBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 28V 11A 8SO0
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IRF7811ATRPBF
库存编号:IRF7811APBFDKR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 28V 11A 8SO0
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1+
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IRF7811ATRPBF
库存编号:IRF7811APBFCT-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 28V 11A 8SO0
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IRF7811ATR International Rectifier 11 A, 28 V, 0.01 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA11101
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1起订
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IRF7811ATR International Rectifier 11 A, 28 V, 0.01 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, MS-012AA1163
1起订
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¥11.89
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IRF7811ATR
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International Rectifier

11 A, 28 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA

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Infineon Technologies - IRF7811ATR - MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7811ATR
仓库库存编号:IRF7811ATR-ND

含铅
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Infineon Technologies - IRF7811ATRPBF - MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7811ATRPBF
仓库库存编号:IRF7811APBFCT-ND
别名:*IRF7811ATRPBF <br>IRF7811APBFCT <br>

无铅
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IRF7811ATR|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7811ATR
制造商型号: IRF7811ATR
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 : 4,000
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 28V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 10 毫欧 @ 11A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1760pF @ 15V
功率 - 最大 : 2.5W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SO
包装 : 带卷 (TR)

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