IRF7807D1TR|International Rectifier代理|供应IRF7807D1TR原装现货|PDF资料下载

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美国1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRF7807D1TR 库存编号:IRF7807D1TR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO	0 4000起订	4000+	￥13.71	6-10天询价	询价查看资料
IRF7807D1TRPBF 库存编号:IRF7807D1PBFTR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO	0 4000起订			6-10天询价	询价查看资料
IRF7807D1TRPBF 库存编号:IRF7807D1PBFDKR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO	0 1起订	1+	￥12.46	6-10天询价	询价查看资料
IRF7807D1TRPBF 库存编号:IRF7807D1PBFCT-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO	0 1起订			6-10天询价	询价查看资料

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型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRF7807D1TR	International Rectifier		3184 1起订	1+ 633+ 1096+	￥53.46 ￥16.71 ￥14.71	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["IRF7807D1TR"],"cvcBrand":[" International Rectifier "],"cvcNumberAll":["1,633,1096,"],"cvcPriceAll":["53.46,16.71,14.71,"],"maxnum":["3184"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],
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IRF7807D1TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC

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IRF7807D1TRPBF
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Infineon Technologies AG

30V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE

RoHS: Compliant

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IRF7807D1TRPBF [更多]	International Rectifier		搜索

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IRF7807D1TR	International Rectifier	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	查看库存、价格及货期

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	IRF7807D1TR International Rectifier	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	查价格库存查看详细
	IRF7807D1TRPBF International Rectifier	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	查价格库存查看详细

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	IRF7807D1TR International Rectifier	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	查价格库存查看详细
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	Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7807D1TR 仓库库存编号：IRF7807D1TR-ND 别名：SP001577472 <br>	含铅	搜索
	Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7807D1TRPBF 仓库库存编号：IRF7807D1PBFCT-ND 别名：*IRF7807D1TRPBF <br>IRF7807D1PBFCT <br>	无铅	搜索

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IRF7807D1TR
制造商型号： IRF7807D1TR
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
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订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com

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详细参数

标准包装：	4,000
系列：	FETKY™
FET 型：	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：	二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss) ：	30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	8.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	25 毫欧 @ 7A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：	1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	17nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	-
功率 - 最大：	2.5W
安装类型：	表面贴装
封装/外壳：	8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装：	8-SO
包装：	带卷 (TR)

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