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| IRF7807ATRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7807ATRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 17 Milliohms, ID 8.3A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-12V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7807ATRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7807ATRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：IRF7807ATRPBF 仓库库存编号：IRF7807ATRPBFCT-ND 别名：IRF7807ATRPBFCT <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 25 毫欧 @ 7A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 17nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 2.5W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
