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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF7603TRPBF - MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
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IRF7603TRPBF
库存编号:IRF7603TRPBFTR-ND
Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO80
4000起订
4000+
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IRF7603TRPBF International Rectifier 5.6 A, 30 V, 0.035 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET3040
1起订
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IRF7603TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 30V 5.6A 35mOhm 18nC Micro 8

RoHS: Compliant

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IRF7603TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.035Ohm, ID 5.6A, SO-8, PD 1.8W, VGS +/-20V, -55

RoHS: Compliant

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International Rectifier
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Infineon Technologies - IRF7603TRPBF - MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?

型号:IRF7603TRPBF
仓库库存编号:IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT <br>

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IRF7603TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7603TRPBF
制造商型号: IRF7603TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet Micro-8
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 5.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 35 毫欧 @ 3.7A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 27nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 520pF @ 25V
功率 - 最大 : 1.8W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 宽)
供应商设备封装 : Micro8™
包装 : 剪切带 (CT)

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