PDF查询| 产品目录绘图 ： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 2.7A, 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 110 毫欧 @ 1.7A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 12nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 210pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1.25W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 宽) |
| 供应商设备封装 ： | Micro8™ |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
