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IRF7421D1TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF7421D1TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | 30V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF7421D1TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SO 型号:IRF7421D1TRPBF 仓库库存编号:IRF7421D1PBFCT-ND 别名:*IRF7421D1TRPBF IRF7421D1PBFCT | 无铅 |
产品目录绘图 : | IR Hexfet 8-SOIC |
标准包装 : | 1 |
系列 : | FETKY™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 5.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 35 毫欧 @ 4.1A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 27nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 510pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 剪切带 (CT) |