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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF7421D1TRPBF - MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC

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IRF7421D1TRPBF
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Infineon Technologies AG

30V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE

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Infineon Technologies - IRF7421D1TRPBF - MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SO

型号:IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号:IRF7421D1PBFCT-ND
别名:*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
无铅
IRF7421D1TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7421D1TRPBF
制造商型号: IRF7421D1TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
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备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 : 1
系列 : FETKY™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 5.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 35 毫欧 @ 4.1A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 27nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 510pF @ 25V
功率 - 最大 : 2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SO
包装 : 剪切带 (CT)

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