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分离式半导体 - MOSFET - 单 - International Rectifier - IRF7406TRPBF - MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
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IRF7406TRPBF
INFINEON IRF7406TRPBF
2725903

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V

(EN)
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Infineon Technologies - IRF7406TRPBF - MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO

型号:IRF7406TRPBF
仓库库存编号:IRF7406PBFCT-ND
别名:*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF7406TRPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406TRPBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
IRF7406TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4951
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IRF7406TRPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF7406TRPBF
制造商型号: IRF7406TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : IR Hexfet 8-SOIC
标准包装 : 1
系列 : HEXFET®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 5.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 45 毫欧 @ 2.8A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 59nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1100pF @ 25V
功率 - 最大 : 2.5W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SO
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRF7406TRPBF
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