PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 6.3A, 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 34 毫欧 @ 6A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 8.6nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 640pF @ 9V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | 8-SO |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
