产品目录绘图 : | IR Hexfet 8-SOIC |
标准包装 : | 1 |
系列 : | HEXFET® |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 5.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 58 毫欧 @ 2.9A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 29nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 780pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 剪切带 (CT) |