| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF6721STR1PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF6721STR1PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 5.1 mOhm, ID 14A, DirectFET RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF6721STR1PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF6721STR1PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF6721STR1PBF-BKN IR | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 6-Pin Direct-FET SQ T/R 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF6721STR1PBF | 1688573 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.9 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ 型号：IRF6721STR1PBF 仓库库存编号：IRF6721STR1PBFCT-ND 别名：IRF6721STR1PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 产品目录绘图 ： | IR Hexfet Circuit DirectFET |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 7.3 毫欧 @ 14A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 17nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1430pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 2.2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | DirectFET™ 等容 SQ |
| 供应商设备封装 ： | DIRECTFET™ SQ |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
