PDF查询| 标准包装 ： | 4,800 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5.9 毫欧 @ 12A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 13nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1190pF @ 13V |
| 功率 - 最大 ： | 1.8W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | DirectFET™ 等容 S1 |
| 供应商设备封装 ： | DIRECTFET S1 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
