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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - IRF610STRRPBF - MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
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IRF610STRRPBF
库存编号:IRF610STRRPBF-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK0
800起订
800+
1600+
2400+
4000+
¥10.21
¥9.45
¥9.06
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IRF610STRLPBF
库存编号:844-IRF610STRLPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp760
1起订
1+
10+
100+
500+
800+
2400+
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¥24
¥16.43
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¥8.84
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IRF610STRRPBF
库存编号:844-IRF610STRRPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 200V0
1起订
1+
10+
100+
500+
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IRF610STRRPBF
库存编号:IRF610STRRPBF
Vishay Intertechnologies MOSFET N-CHANNEL 200V - Tape and Reel (Alt: IRF610STRRPBF)0
800起订
800+
1600+
3200+
4800+
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¥8.84
¥8.71
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IRF610STRLPBF
库存编号:IRF610STRLPBF
Vishay Intertechnologies MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp0
800起订
800+
1600+
2400+
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IRF610STRRPBF
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF610STRRPBF
[更多]
Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

RoHS: Compliant

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IRF610STRR
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

RoHS: Not compliant

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IRF610STRRPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF610STRRPBF)

RoHS: Not Compliant

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IRF610STRRPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRF610STRRPBF|VISHAY SILICONIXIRF610STRRPBF
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Rohs

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IRF610STRRPBF|Vishay SiliconixIRF610STRRPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
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IRF610STRRPBF|Vishay SiliconixIRF610STRRPBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
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Vishay Siliconix - IRF610STRRPBF - MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK

型号:IRF610STRRPBF
仓库库存编号:IRF610STRRPBF-ND

无铅
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IRF610STRRPBF|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF610STRRPBF
制造商型号: IRF610STRRPBF
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 800
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 1.5 欧姆 @ 2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 140pF @ 25V
功率 - 最大 : 3W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D2PAK
包装 : 带卷 (TR)

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